晶圓厚度和均勻性的高速測量

晶圓厚度和均勻性的高速測量晶圓（wafer）是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。極高純度的半導(dǎo)體經(jīng)過拉晶、切片等工序制成晶圓，晶圓進過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu)，再切割、封裝、測試成為芯片，廣泛應(yīng)用到各類電子設(shè)備中。其中，晶圓襯底材質(zhì)不同，應(yīng)用領(lǐng)域各不相同。硅器件多用于邏輯器件、存儲器等，GaAs InP GaN化合物半導(dǎo)體適用于制造高速、高頻、大功率以及發(fā)光底子器件，多用于射頻器件，光電器件、功率器件的制造，相互之間具有不可替代性。
為了光刻的需要，為了實現(xiàn)集成電路制成的性能，則需晶圓的表面平整，厚度均勻。德國費迪南德布勞恩研究所（簡稱FBH）生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光放大器，需要極為精確的晶圓厚度和極高精度的厚度均勻性。Dr.Andreas Thies 是在FBH的工藝技術(shù)專家。他解釋說，"晶圓的厚度是組件可用性的一個重要指標(biāo)。作為一項規(guī)則，晶圓根據(jù)不同應(yīng)用，控制厚度350μm 到100μm，砷化鎵 (GaAs) 或氮化鎵 (GaN)制成的4 英寸晶圓，是高頻應(yīng)用的首選材料，它大約兩個小時為砷化鎵，并且更長時間的氮化鎵。
要達到精確的目標(biāo)厚度，晶圓必須多次測量。過去采用接觸式測量，當(dāng)晶圓在機械加工過程中有輕微的機械損傷，如細(xì)裂紋，那么后期接觸測量會引起晶圓的進一步損害，甚至無法使用，而且測量繁瑣，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性不高。

Werth解決方案
測量及配置：
- Videocheck 400主機
- CFP點色譜傳感器
- Werth Zoom光學(xué)變焦系統(tǒng)
- WinWERTH測量晶圓模塊Werth的CFP測量晶圓時，由于材料透明，被測晶圓上下表面都會反射特定波長的光，并在光譜儀上出現(xiàn)兩個峰值的光譜曲線，通過這兩個峰值可以推算出晶圓的厚度。我們的優(yōu)勢：
1.操作簡單，晶圓放置在 X-Y 工作臺上的固定夾具上，啟動WinWerth 晶圓測量軟件，輸入晶圓尺寸、材料、大約厚度的基本信息，一鍵式完成測量。
2.可用于多種材料測試，客戶的主要材料測量砷化鎵、鎵氮化硅、藍寶石、硅、碳化硅。對于其他材料，折射率輸入也可測量。
3.測量結(jié)果圖形輸出和厚度和均勻性自動評定。
4.沿X-Y雙方向十字型測量70mm晶圓只需2分鐘。